熱烈慶賀造極電氣與北大東莞研究院獲得THVPE晶體控制系統軟件著作權

氮化鎵半導體材料是繼硅和砷化鎵材料后的新一代半導體材料，被稱為第三代半導體材料，它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性。目前GaN材料主要應用于射頻與功率器件領域，隨著5G的發展，射頻器件需求增大，氮化鎵市場隨之擴張。

造極電氣協助北京大學東莞光電研究院在GaN晶體生長設備中設計了一套完整的控制系統，通過上位機和電氣控制系統同時工作，提高設備的可控性和穩定性。